Sotto l’Etna sfida digitale Ue, 5 mld per i chip.

Cinque miliardi, di cui due italiani, per far nascere a Catania i nuovi chip attraverso il primo impianto integrato di carburo di silicio (SiC). A ‘portarli’ alla STMicroelectronics sono stati la Commissione europea Margrethe Vestager e il ministro delle Imprese, Adolfo Urso, nel capoluogo etneo. “E’ impressionante quello che è stato creato qui, non si può neanche immaginare”, ha detto una Vstager stupita al termine di una visita in cui ha toccato con mano, dalle ‘fette’ di silicio alla ‘clean room’ in cui il processo si raffina, uno dei miracoli della Etna Valley. “Parliamo tanto di intelligenza artificiale – ha aggiunto – ma la vera intelligenza qui è l’intelligenza che si crea quando tutte le competenze si mettono insieme. Questo progetto è veramente ciò che noi volevamo e abbiamo fatto la nostra parte. La St ha un ruolo cruciale nella microelettronica: qui c’è il primo stabilimento interamente integrato che parte dalla polvere e arriva al prodotto finito pronto per essere inserito per esempio in una macchina. Aumenta così la sicurezza della fornitura di chip e diminuiscono i rischi per l’industria in Europa: l’ambizione è raddoppiare le quote di mercato europeo nella produzione dei chips avanzati e siamo sulla buona strada”. A pochi chilometri di distanza dal sito in cui Vestager e Urso parlano alla stampa sorge un’altra ‘scommessa’ europea: la 3Sun Gigafactory di Enel Green Power, ovvero la ‘fabbrica del sole’ nata a Catania nel 2010 e che, anch’essa sostenuta dall’Ue, si prepara a diventare la più grande fabbrica europea per la produzione di moduli fotovoltaici bifacciali ad elevate prestazioni. “La Sicilia è la terra del futuro”, sottolinea Urso, spiegando che nell’isola si gioca la sfida digitale e quella della transizione energetica europee. “Quella di oggi è una giornata storica per la Sicilia, per l’Italia, per l’Europa. Ciò che la Stm sta facendo – ha aggiunto – è un esempio, un modello per l’Europa. Un esempio ed un modello di piena cooperazione tra Italia e Francia, un esempio ed un modello di un campione europeo che può diventare un campione mondiale. Dobbiamo lavorare insieme nella trilaterale dell’Europa dell’industria (Italia, Francia, Germania ndr) per rafforzare la cooperazione tra le nostre imprese e far crescere campioni europei capaci di competere a libello globale. Entro fine anno l’Italia raggiungera’ i 10 miliadi di euro di investimenti nel settore della microelettronica”. “L’Italia – sottlinea in serata la presidente del Consiglio, Guorgia Meloni – consolida la sua leadership in Europa nell’industria dei semiconduttori. Con questo nuovo impianto, saranno generati 2.000 nuovi posti di lavoro tra ingegneri e tecnici altamente specializzati, facendo dell’Etna Valley il luogo dell’innovazione nel Mediterraneo. Si tratta di uno dei più grandi investimenti in Europa nell’ambito del chips act. Un risultato straordinario per l’Italia, frutto del lavoro sinergico tra istituzioni locali, Governo centrale e Commissione europea”.
Meno ottimisti, i sindacati: “Siamo felici. Ma sarebbe stato ed è ancor più adesso opportuno – afferma il segretario generale della Uilm di Catania, Giuseppe Caramanna – un incontro tra azienda e organizzazioni sindacali, magari a campagna elettorale finita. Vorremmo certezze su tempi di realizzazione del progetto e pianta organica futura, mentre resta aperta e sanguinante la ferita creata dagli annunci sul modulo M6 che è tristemente rimasto un vuoto scatolone di promesse”. Il nuovo impanto produrra’ carburo di silicio da 200 mm in grandi volumi per dispositivi e moduli di potenza, nonche’ per attivita’ di test e packaging. Il Silicon Carbide Campus di Catania, hanno spiegato i ricercatori di Stm, è “la realizzazione del piano di St per una completa integrazione verticale delle capacita’ nel SiC, dalla ricerca e sviluppo alla produzione, dal substrato al modulo, in un unico sito, e consentira’ ai clienti dei settori automotive e industriale di passare all’elettrificazione e ad una maggiore efficienza energetica”.
Gli obiettivi per il nuovo impianto sono l’avvio della produzione nel 2026 e il ramp-up alla piena capacità entro il 2033, con una produzione a regime (full built-out) fino a 15.000 wafer a settimana. “Le capacita’ completamente integrate sbloccate dal Silicon Carbide Campus di Catania contribuiranno in misura significativa alla leadership di ST nella tecnologia SiC per clienti dei settori automotive e industriale nei prossimi decenni,” ha detto Jean-Marc Chery, President & Chief Executive Officer di STMicroelectronics. “Le dimensioni di scala e le sinergie offerte da questo progetto – ha aggiunto – ci consentiranno di attuare una migliore innovazione con capacita’ produttive in grandi volumi, a vantaggio dei nostri clienti europei e globali che nel compiere la transizione verso l’elettrificazione sono alla ricerca di soluzioni piu’ efficienti sotto il profilo energetico per centrare gli obiettivi di decarbonizzazione”. “Ecco come il denaro dell’Ue può esere usato in modo giusto”, ha sottolineato Vestager dopo aver ricordato che “l’Italia ha visto l’opportunità e ha fatto in modo che questo investimento fosse possibile: il vero finanziamento arriva da chi paga le tasse in Italia, dai cittadini italiani. Questa sinergie rendono possibili questi investimenti in Europa, e rafforzano il nostro mercato unico”. (AGI)